Powerex 碳化硅 MOSFET 模块设计用于高频应用。每个模块由六个 MOSFET 碳化硅晶体管组成。所有组件和互连都与散热基板隔离,提供简化的系统组装和热管理。
大带隙能量和高场击穿是碳化硅 (SiC) 的两个主要特性,碳化硅 (SiC) 已被用于创建具有零反向恢复电荷、降低开关损耗和更高温度工作机会的新一代功率半导体。
Powerex 将供应商的 SiC MOSFET 和肖特基势垒二极管封装到高性能全 SiC 模块中,或与高频硅 IGBT 封装到混合 Si/SiC 模块中。新的薄型分离式双封装具有低电感和适用于高热循环应用的铜或 AlSiC 基板。
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